2.5D封装能够知足芯片高集成度、高本能、幼尺寸、低功耗生长需求，正在鞭策半导体家产工夫升级方面饰演厉重脚色，正在环球畛域内利用比例神速攀升 2.5D封装，是一种先辈封装工夫，将多个芯片并排堆叠，运用中介层贯串芯片，高密度布线竣工电气贯串，集成封装为一个全体

　　芝能智芯出品 硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）工夫是一种用于竣工芯片和晶圆笔直互联的要害工艺，被广博利用于2.5D和3D封装中。 TSV通过缩短互连长度、下降功耗和信号延迟，大幅提拔编造本能和整合度，当然TSV的高本钱、繁复工艺及热应力执掌等挑衅节造了其大范畴利用

　　本文由半导体家产纵横（ID：ICVIEWS）编译自钜亨网 新架构 CoWoS-L，以管理大型interposer缺陷导致的良率耗费题目。 片上基板（CoWoS： Chip-on-wafer-on-substrate）是一种先辈的封装工夫，用于筑设高本能盘算（HPC）和人为智能（AI）元件

　　幼型封装内置第4代SiC MOSFET，竣工业界超高功率密度，帮力xEV逆变器竣工幼型化！

　　环球着名半导体筑设商ROHM（总部位于日本京都会）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开采出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产物（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　全新 Bourns®SinglFuse掩护器现可供给 0603 和 1206 封装，且正在准则 SMD 尺寸中供给高效的过流掩护

　　2024年3月4日 － 美国柏恩Bourns环球着名电源、掩护和传感管理计划电子组件头领筑设供货商，扩展SinglFuse＆trade； SMD保障丝产物线。正在功耗利用中，作用饰演着至合厉重的脚色，越发是跟着最终产物变得越来越繁复且功耗更高

　　Transphorm揭晓两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率效劳器、可再生能源、工业电力转换范围扩展产物线

　　加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 环球当先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日揭晓推出两款采用 4 引脚&