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金融界2025年1月17日音讯,国度学问产权局消息显示,国际有限公司申请一项名为“PTC半导体陶瓷构成因素、用于筑设半导体陶 瓷的措施以及加热筑造和操纵”的专利,公然号 CN 119306491 A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本创造涉及一种用于半导体陶瓷构成因素,此中,所述半导体陶瓷构成因素拥有按照下述分子式的基于 BaTiO3的化合物行为要紧组分[BabCacSrsPbpRx][TitAaMnm]O3+z,此中,R是从由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb构成的组落拔取的起码一个元素,此中,A是从V、Nb和Ta的组落拔取的起码一个元素,此中,以如下办法节造变量b、c、s、p、x、t、a、m和z:b=1–c–s–p–x0本文源自:金融界